无源器件作为电子系统应用中随处可见，数量庞大的器件，被称为电子血液，在电子系统中占据重要地位。集成无源器件通过使用集成电路薄膜工艺，区别于传统印刷和烧结等厚膜工艺，具有工艺更稳定精确可靠，是解决系统模组化高集成度的关键技术。随着逻辑芯片，存储芯片和其他晶体管器件的尺寸降低，密度增加，提升无源器件的集成度和小型化能力，是电子系统模组化的关键内容。

森丸IPD具有IPD器件的固有高集成度小型化特点外，独具玻璃通孔工艺能力，使得IPD器件性能进一步提升，兼具高性能高可靠性和批量一致性等优秀特点，从而使能更多无源集成和系统小型化，具有广泛市场应用。通过森丸MEMS和深硅等特别制程能力，亦可集成更高密度电容和电感，在电源完整性领域提供集成方案。

射频前端

大部分的射频前端应用有进一步模组化的需求。一方面，大大增加了前端的集成度。同时，提升了系统可靠性和易用性。多种无源特性的集成，包括匹配，滤波，巴伦，耦合，功率合成等，可更大降低器件尺寸，提升器件性能。IPD是适合射频前端高集成度需求的无源解决方案。

MHz应用

相比射频应用，MHz应用由于其波长相对较长，器件往往很大。而如果此类器件应用于星载，车载，弹载等雷达或通讯应用中时，器件显然过大过重。此时，IPD技术将为这类无源器件小型化应用提供解决方案。

毫米波应用

毫米波领域的应用潜力正在被激发。使用玻璃基底IPD工艺可以满足毫米波无源器件对加工精度的要求，也可以进一步体现玻璃材质的高频性能优势。

电源管理应用

高效率高性能电源管理，对复杂和高性能计算领域越发关键。而其中，高性能无源器件的集成是关键。

高速数字信号/EMI应用

数字传输信号速率越高，对共模和噪声抑制要求越高，超宽带和共模抑制滤波器是IPD的有效利用场景。

森丸IPD工艺平台

主要包括2D工艺平台，3D工艺平台及沟槽电容平台等。2D平台具有更好成本及精确加工能力，适合耦合型器件应用。3D平台具有额外的通孔连接能力，可充分利用其金属化和纵向工艺空间，实现更高Q值电感，适用于滤波器等高Q值应用场景。

工艺选项

在平台框架下提供多样工艺选项，包括多种电容密度，通孔尺寸/深度，金属层数/厚度，是否包含TFR/MIM等。

后道支持

通过集成电路工艺制造的IPD器件，具有和其他芯片合封的天然条件。森丸IPD工艺平台支持各种封装方式，包括打线，倒装，植球等等。