玻璃通孔，键合，空腔，金属互连等工艺能力，可帮助实现很多MEMS器件的开发和制造。森丸电子MEMS微机电系统工艺平台，拥有这些全流程能力，并且可以快速响应和灵活迭代，帮助客户快速开发和生产新产品。
压电器件中广泛应用各种工艺技术实现空腔，玻璃基底由于其优良的电学性能，及TGV通孔的能力，正逐渐成为这类空腔应用的最佳解决方案。
森丸电子拥有深槽刻蚀，晶圆键合，各种厚薄膜及深孔金属化的能力。在这些专业能力基础上的灵活应用，可为客户提供有针对性的新产品开发和生产流程方案。
接近式光刻:支持4/6/8寸，CD≥2um，套刻精度0.5um
步进式光刻:曝光尺寸 4/6/8寸，CD≥0.5um，曝光精度150nm
自动匀胶显影:4/6/8寸兼容，配备多路匀胶及显影管路，匀胶膜厚均匀性≤3%
PVD 磁控溅射:8寸及以下兼容，可沉积 Ti、Cu、Au、Al、TaN等金属薄膜
PECVD 增强化学气相沉积:8寸及以下兼容，可沉积 SiO2，SiNx等
ALD 原子层沉积:8寸及以下兼容,可沉积氧化物、氮化物、High-K 材料等
平面电镀:Cu/Ni/Au电镀
填孔电镀:TGV通孔填充电镀
盲孔电镀:BGV/TSV盲孔填充电镀
具备高精度半导体垂直挂镀，水平杯镀工艺能力
RIE 刻蚀:6/8寸兼容，用于介质层刻蚀.如 SIO.SIN等
DRIE深硅刻蚀:6/8寸兼容，用于 Si高宽深比的体加工刻蚀
ICP 刻蚀:6/8寸兼容，用于金属、氧化物等刻蚀,如AI,TaN、SiO2、SiNx等材料刻蚀
射频/微波干法去胶机:Plasma,Asher等
金属湿法刻蚀:支持4/6/8寸晶圆,Ti/Cu/Ni/Au/Cr等多种金属湿法刻蚀
体硅湿法刻蚀:硅片湿法晶相刻蚀
玻璃湿法刻蚀:支持酸/碱刻蚀工艺，玻璃微流道/激光诱导等刻蚀
清洗工艺:RCA 清洗、SPM清洗、有机/无机清洗、光刻胶去胶等
晶圆键合:4/6/8寸晶圆级键合，支持阳极键合，热压键合，临时键合等
减薄抛光:支持6/8寸晶圆玻璃/硅/金属等多种材料的减薄及CMP 抛光
切割划片:Disco 划片、激光隐切，支持高质量玻璃划/切工艺
探针台测试系统:支持电性能 CP 测试、RF 射频性能
